Erfurt: Neues CiS Analytik Kompetenzzentrum feierlich eröffnet

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Am Donnerstag, dem 15. Juli 2021, wurde mit einem feierlichen Festakt am CiS Forschungsinstitut in Erfurt das neue CiS Analytik Kompetenzzentrum durch Wirtschaftsminister Wolfgang Tiefensee eröffnet.  „Das CiS Forschungsinstitut hat als wirtschaftsnahe Forschungseinrichtung im Bereich von Mikroelektronik und Sensorik eine wichtige Scharnierfunktion zwischen Wissenschaft und marktfähiger Anwendung“, sagte Tiefensee. „Mit dem neuen Kompetenzzentrum kann das CiS Forschungsinstitut sein Dienstleistungsspektrum bei der Material- und Festkörperanalyse ab sofort deutlich erweitern.“

Kernstück des Kompetenzzentrums ist ein hochauflösendes 3-dimensionales Sekundär-Ionen-Massenspektrometrie-System (SIMS Analyse Cluster), das als das modernste seiner Art im Umkreis von mehreren Hundert Kilometern gelten kann. Mit dem SIMS können dreidimensionale Elementverteilungen, vorrangig im Spuren- und Ultraspurenbereich, gemessen und analysiert werden. Das neue Kompetenzzentrum bietet damit eine einmalige Kombination aus neuester Technologie und hochqualifiziertem Personal. Zukünftig sollen sowohl Forschungseinrichtungen wie auch Industriekunden auf die umfangreichen Leistungen des CiS Analytik Kompetenzzentrums zugreifen können, um ihre Wettbewerbsposition bei innovativen Werkstoff- und Produktentwicklungen weiter ausbauen und festigen zu können.

Die moderne Ausstattung bietet die Möglichkeit, komplexe messtechnische Untersuchungen und spezielle Material- und Oberflächenanalysen durchzuführen. Neben der klassischen Halbleiterindustrie können auch andere Branchen vom CiS Analytik-Kompetenzzentrum (CAK) profitieren, u.a. bei der Analyse metallischer Werkstoffe, Untersuchungen in der Batterieforschung sowie anorganischer und biomedizinischer Oberflächenbeschichtungen oder auch technische Gläser der optischen Industrie.

Das hochauflösende 3-dimensionale Sekundär-Ionen-Massenspektrometrie-System (SIMS Analyse Clusters) ergänzt in idealer Art und Weise das vorhandene Portfolio der Untersuchungsmethoden wie Rasterelektronenmikroskopie und Raman-Spektroskopie. Es erlaubt präzise Informationen über qualitative und quantitative Zusammensetzung oberflächennaher Schichten und Tiefenprofile zu gewinnen.

Das Thüringer Wirtschaftsministerium unterstützte die Anschaffung des neuen Gerätes im Rahmen des Förderprogramms „WiNaFo-Invest“ mit rund 2 Millionen Euro aus EFRE- und Landesmitteln.

Die Bedeutung des neuen Kompetenzzentrums wurde in weiteren Grußworten von Wirtschaftsvertretern unterstrichen: Hans-Jürgen Straub, Vorsitzender des FIZ e.V. betrachtet das neue Kompetenzzentrum als weiteren Standortvorteil für das Industriegebiet im Erfurter Südosten. Jörg Doblaski, CTO der X-FAB Semiconductor Foundries GmbH, hob hervor, dass dieses Kompetenz-Analytik-Centrum für die Optimierung der Produkt und Prozessqualität in der Halbleiterfertigung nunmehr exzellente Bedingungen bietet. Als Vertreter des Thüringer Mittelstandes machte Dr. Knut Baumgärtel, Geschäftsführer der Micro-Hybrid Electronic GmbH deutlich, dass viele mittelständische Thüringer Unternehmen mit geringen Entwicklungskapazitäten am CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik Forschung und Entwicklung mit Analyseleistungen verknüpfen können, beispielsweise für Konstruktions- und Materialanpassungen in der Sensorik.

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